CVD氣相沉積爐的簡介

CVD氣相沉積爐也叫cvd管式爐,由開啟式單(雙)溫區管式爐、高真空分子泵系統、壓強控制儀及多通道高精度數字質量流量控制系統組成。可實現高真空狀態下、混合氣體化學氣相沉積和擴散試驗。

CVD管式爐主要用于高校、科研院所、工礦企業做高溫氣氛燒結、氣氛還原、CVD/CVI實驗，特別適用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備、納米線生長、電池材料干燥燒結等場所。

CVD管式爐是在高溫條件下通過一定的化學反應將物質轉化成固態薄膜的一種重要設備。它廣泛應用于材料科學研究、能源、電子、國防等領域。

CVD管式爐能夠在高溫下提供穩定的加熱環境，促進化學反應，合成高質量的固態薄膜。

PECVD系統是借助射頻使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，而等離子體化學活性很強，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。

CVD氣相沉積爐特點

1.薄膜沉積速率高：射頻輝光技術，大大的提高了薄膜的沉積速率，沉積速率可達10?/S;

2. 大面積均勻性高：采用了先進的多點射頻饋入技術，特殊氣路分布和加熱技術等，使得薄膜均勻性指標達到8%;

3. 一致性高：用半導體行業的先進設計理念，使得一次沉積的各基片之間偏差低于2%;

4. 工藝穩定性高：高度穩定的設備保證了工藝的連續和穩定;

5.智能CVD設備是目前最新型的一款設備，將所有的控制部分集為一體，此款設備是博納熱獲得專利的設備。高溫真空加熱爐溫度控制系統采用經典的閉環負反饋控制系統。電氣元件采用優質的進口產品，做到高性能、免維護，提高了設備質量的可靠性。

6.適用范圍寬:金屬薄膜，陶瓷薄膜等，復合薄膜，連續生長各種薄膜等。增加功能容易，可擴展等離子清洗刻蝕等功能。